好项目背景图案 深圳某半导体技术厂制作期间中而且制造高硅废渣（SiO₂ 500-800mg/L）和含氟废渣（F⁻ 200-300mg/L）。五种废渣相溶后容易产生氟硅酸电解质溶液，传统意义化学沉淀出的法仍未稳定可靠基准。新项目追求同时进行我们要除硅和氟（排放口基准：SiO₂≤30mg/L，F⁻≤10mg/L）。 电镀废水营养成分及来历 主要的因素 ：硅酸氢钠（NaHSiO₃）、氟化铵（NH₄F）、异丙醇 原因 ：晶圆刻蚀废液、CMP磨细废液、设施设备洗水 加工生产工艺设计图 联动发展关键时期 ： 有级反映池 ： 第1级加药系统Ca(OH)₂转换CaF₂和CaSiO₃放置； 第二点级添加PAC（聚合反应氯化铝）淬炼二沉池。 固液溶合的时候 ： 反渗透膜设备 ：运用0.02μm口径膜零部件挪用电解质溶液硅和微细沉淀自己物。 角度脱氟时期 ： 抗逆性硫化铝物理吸附塔 ：残留物氟铝离子吸收祛除。 不可能郊果 出水出水SiO₂≤25mg/L，F⁻≤8mg/L，远强于国度基准。 超滤膜整体通量平稳在15LMH，无机化学的清洗过渡期缩短至60天。 飞灰经压滤后含水量率＜65%，可按寻常固体废物防范。