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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

工程大环境 本内容设在长四角中北部某各国级半导体行业中小企业本园,中小企业注意产量8寸大和12寸大晶圆,日产尼桑量到2万片。跟随着产能利用率发展,原始的废水外理工艺外理模式已没法需要满足环保健康条件,急用升到处置。内容总项目投资约1200万元,设计方案外理技能为300吨/日,于2022年建起投入运营。 废气有效成分及来原 该机构晶圆划区工艺程序所产生的生活污水最主要主要包括下类化学物质: 激光切割过程中中食用的考虑液留物,重要化学成分为二被氧化硅小粒、表明活性酶类剂和巧妙放入剂 晶圆表层家电清洗呈现的含氟污水,氟铁离子溶液浓度在80-120mg/L 多量血本属铝离子如铜、镍等,从何而来于激光切工貝损坏 有机酸石油醚留下,收录异丙醇、异丙醇等 pH值动荡更大,常见在4-10相互间 外理加工制作工艺 的流程 而对废气特征,来设计所采用"物理预净化处里+生物化净化处里+深层次净化处里"的搭档制作工艺: 设定池 :均等化饮用水需水量,設置pH在线免费监测数据和主动投加药剂设备 沥青混凝土悠长岁月中 :添加PAC和PAM,清理浮悬物和胶体溶液产物 气浮单元尺寸 :用到溶气气浮新工艺进十步剔除体积小颗料和组成部分设计物 什么是生化正确处理 :分为MBR膜怪物影响器,厌氧颗粒污泥质量浓度持续在8000-10000mg/L 宽度进行处理 :特异性炭树脂吸附+反参透制作工艺,加强组织领导满水后符合标准 飞灰处理 :板框刮刀离心机脱干,污泥干化含水分率低于60%下 补救功效 装置平稳加载后,留水水质量全部满足《智能电子实业水弄脏物减排细则》(GB39731-2020)很大减排卫生防护距离规定要求: COD<30mg/L 氟化合物<5mg/L 浮悬物<10mg/L 血本属某项指标英文均低过允许值 该项目历年可抑制弄脏物排放标准量约COD 32吨、氟化物8.5吨,回收利用水率提高75%综上所述,为客户降低成本水电费花费约130万元/年。

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